Características Fundamentales de las Memorias
Densidad de bit
Es el número de bits almacenados por unidad de superficie.
Capacidad total
Es el número total de bits que puede almacenar una memoria. La capacidad suele darse según el número de posiciones de memoria, expresado en kilobytes (1 kB = 1.024 bits), por el número de bits de cada posición. Así, una memoria de 2 K x 8 posee una capacidad total de 16.384 bits.
Velocidad
Es la rapidez con la que una memoria puede acceder a los datos para leerlos o escribirlos. El tiempo de acceso es el necesario para seleccionar una posición y leer o grabar un dato.
Volatilidad
Se dice que una memoria es volátil cuando, al desconectar su alimentación, pierde la información que contiene. Por el contrario, se denomina no volátil si conserva la información sin alimentación.
Potencia
Es la potencia disipada por la memoria.
Tipos de Memorias según su Funcionamiento
Memorias Activas (RAM)
Son aquellas en las que los tiempos de escritura y lectura son del mismo orden de magnitud. Generalmente, los fabricantes de circuitos integrados suelen darles el nombre de memorias de acceso aleatorio (RAM).
Las memorias RAM son circuitos integrados en los que se pueden escribir y leer datos. Según si el elemento utilizado para almacenar los bits es un biestable o un condensador, se clasifican en estáticas (SRAM) y en dinámicas (DRAM), respectivamente. Por otro lado, de acuerdo con la tecnología de fabricación empleada, se pueden dividir en bipolares y MOS.
Memorias activas de escritura y lectura no simultáneas
Son aquellas en las que solo se puede seleccionar una posición de memoria en cada instante para realizar una operación de lectura o escritura en ella. Pueden ser estáticas (SRAM) o dinámicas (DRAM).
Memorias activas de escritura y lectura simultáneas (Read While Write Memories)
Este tipo de memoria posee dos grupos de entradas de selección: uno permite seleccionar la posición de memoria que se desea leer y el otro, la posición en la que se desea escribir. Con ello se logra que ambas operaciones se puedan realizar por medio de sistemas independientes y de forma simultánea.
Memorias activas de acceso múltiple (Multiport Memories or Simultaneous Access Memories)
Estas memorias se caracterizan porque permiten la realización de acciones de lectura, escritura o ambas en más de una posición simultáneamente. Pueden ser de acceso múltiple en la lectura, en la escritura o en ambas, siendo las más usuales las de acceso doble.
Memorias Pasivas
Son aquellas en las que el tiempo de escritura es mucho mayor que el de lectura. Una de sus características principales es que no son volátiles, es decir, mantienen la información aunque deje de aplicarse la tensión de alimentación. Ello las hace idóneas como generadores de funciones lógicas complejas o para el almacenamiento de las instrucciones de un ordenador o de un autómata programable.
Memorias totalmente pasivas (ROM)
Son aquellas que solo pueden ser leídas por el usuario. La grabación o escritura la realiza el fabricante. Esta memoria es ideal para almacenar las rutinas básicas a nivel de hardware, por ejemplo, el programa de inicialización de arranque de un sistema programado.
Memorias pasivas programables (PROM)
Son aquellas cuyo contenido puede ser escrito por el usuario una sola vez. Como veremos con más detalle más adelante, este tipo de circuitos consiste en una matriz de elementos que actúan como fusibles que pueden o no fundirse, según convenga, en el proceso de grabación. Dicho proceso se realiza con una máquina especial llamada programador de PROM o quemador de PROM, para fundir los fusibles uno por uno según las necesidades del software que se va a codificar en el chip. Este proceso se conoce normalmente como el “quemado” de la PROM.
Memorias borrables con rayos ultravioleta (EPROM)
Estas memorias se graban mediante impulsos eléctricos cuyo nivel de tensión es, en general, mayor que el de los normales de operación del circuito. Las modernas grabadoras de EPROM son sistemas basados en microprocesador que permiten la grabación de múltiples tipos de chips. También existen en el mercado tarjetas que se conectan al PC y permiten la grabación de EPROM mediante ordenador. El borrado se realiza mediante rayos ultravioleta antes de la grabación; para ello, el circuito integrado posee una zona transparente que permite el paso a los citados rayos.
Memorias pasivas reprogramables borrables eléctricamente (EEPROM)
La información contenida en una memoria EPROM no puede modificarse mientras está en el circuito. En las aplicaciones en las que dicha modificación sea interesante, deberá utilizarse una EEPROM. Al igual que la EPROM, la principal aplicación de las memorias EEPROM es la de formar parte, junto con las memorias activas (RAM) y pasivas (EPROM), de la memoria de un microprocesador para almacenar tablas modificables por el propio sistema.
Memorias borrables eléctricamente en su totalidad (Memorias Flash)
El hecho de que las memorias EEPROM tengan una densidad de bit mucho menor que las EPROM ha impedido su utilización generalizada como memoria de programa. Por otro lado, el desarrollo de la microelectrónica trajo consigo la necesidad de disponer de sistemas basados en microprocesador cuyo programa pueda ser modificado periódicamente. Todo ello dio lugar al desarrollo de las memorias tipo flash, con densidades de bit similares a las de la EPROM y borrables eléctricamente en su totalidad.